Triac y Mosfet

Descripción

TRIAC

Un TRIAC es un componente electrónico semiconductor de tres terminales para controlar la corriente.

Su nombre viene del término TRIode for Alternating Current = Triodo Para Corriente Alterna.

Podríamos decir que un triac se utiliza para controlar una carga de CA (corriente alterna), semejante a como un transistor se puede utilizar para controlar una carga de CC (corriente continua).

En definitiva es un interruptor electrónico pero para corriente alterna.

Los triac se utilizan en muchas ocasiones como alternativas al relé.

Su funcionamiento básico es cerrar un contacto entre dos terminales (ánodo 1 y 2) para dejar pasar la corriente (corriente de salida) cuando se le aplica una pequeña corriente a otro terminal llamado “puerta” o Gate (corriente de activación).

Se seguirá permitiendo que la corriente fluya hasta que la corriente de salida disminuya por debajo de un valor determinado, llamada corriente umbral, o se corte la corriente totalmente de alguna forma, por ejemplo con un interruptor o pulsador como luego veremos.

MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Los Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias, y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET:

Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.

Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.

Los mosfet de enriquecimiento pueden ser un dispositivo tanto de canal n (nMOS) como canal p (pMOS). El circuito equivalente de señal pequeña de ca de cualquier de los dos dispositivos. Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.